|
|
| Автор: Ю. В. Колковский |
| Издательство: Техносфера |
| Год: 2016 |
| Cтраниц: 1 |
| Формат: PDF |
| Размер: 0 |
| ISBN: 978-5-04-030914-6 |
| Качество: excellent |
| Язык: |
|
 |
|
Описание:
|
В книге представлено обобщение накопленного опыта по созданию методов входного и технологического контроля при разработке и производстве СВЧ транзисторов на основе широкозонных материалов, в частности, транзисторов на гетероструктурах типа AIGaN/GaN. Рассмотрены системы отечественных и зарубежных стандартов, на основе которых проводятся разработки СВЧ транзисторов. Подробно описаны физические основы гетероструктур, описаны свойства широкозонных полупроводников, методы изготовления СВЧ транзисторов. Детально анализируется технология производства транзисторов с учетом имеющегося опыта их реального изготовления. Рассмотрены электрические, оптические, рентгеновские, электронно-микроскопические и аналитические методы, которые применяются при входном и технологическом методах контроля. Рассмотрен опыт создания в ОАО «НПП „Пульсар“ СВЧ транзисторов и СВЧ блоков на их основе. Книга будет полезна специалистам в области электроники, исследователям, инженерам-практикам и разработчикам радиоэлектронной аппаратуры.
|
Пресс - релиз
string(4) "true"
int(290)
|
