В лабораторном практикуме излагаются теоретические основы технологических процессов роста полупроводниковых материалов и методы контроля их электрофизических и структурных параметров. Материал практикума соответствует учебному плану курса «Основы технологии электронной компонентной базы». ...
Содержит описание трех практических занятий, в которых изучаются такие процессы создания приборных структур наноэлектроники, как термическое окисление, диффузия и ионная имплантация. Ставит перед собой задачи объяснить физическую сущность используемых в микро- и наноэлектронике технологических процессов, научить комплексному научному подходу к выбору методов и процессов формирования электронной компонентной базы, а также освоить методики расчета ...
В лабораторном практикуме приведены сведения по геометрическим пострениям для выполнения чертежей в графическом редакторе AutoCAD. Показаны принципы разработки элементной базы, а также модернизации меню Автокада для создания специализированных меню, которые могут применяться в технологической подготовке механосборочного производства. Даны задания для самостоятельной работы студентов по разработке операционных эскизов механической обработки детал ...
В методических указаниях рассматриваются принципы расчета режимов ионной имплантации при формировании структур n+–p–p+(p+–n–n+)-типа и профилей распределения имплантированной примеси. Излагается методика расчета в программе Math Cad 2001. ...
В лабораторном практикуме представлены лабораторные работы по разделу «Термическая обработка металлов», которые знакомят студентов с основами гомогенизации слитков, с вопросами разупрочняющего отжига деформированных сплавов, демонстрируют различие структуры и свойств стали после разных видов фазовой перекристаллизации, закалки и отпуска и показывают возможности упрочняющей термической обработки цветных сплавов. ...
В пособии изложены цели и задачи курсового проекта по курсу “Основы конструирования приборных устройств” (в дальнейшем – ОКПУ), приведена тематика заданий по курсовому проектированию, рассмотрены содержание и объем курсового проекта, изложены требования по оформлению графической части и пояснительной записки проекта. Приведены вопросы для подготовки к защите курсового проекта и даны необходимые справочные данные. ...
Рассмотрена методика планирования эксперимента. Описан порядок выполнения курсовой работы по разделу «Планирование эксперимента» с использованием полного факторного эксперимента 24 и приведен пример выполнения курсовой работы. ...
Приведена методика расчета основных параметров полупроводника – ширины запрещенной зоны, энергии ионизации примесных и рекомбинационных центров – по температурным зависимостям ЭДС Холла, времени жизни носителей заряда и электропроводности. ...
Практикум состоит из пяти лабораторных работ, выполнение которых позволит получить достаточно полное представление о свойствах гетероструктур, используемых в оптоэлектронике. ...
