|
|
| Автор: К. И. Таперо |
| Издательство: Лаборатория знаний |
| Год: 2017 |
| Cтраниц: 1 |
| Формат: PDF |
| Размер: 0 |
| ISBN: 978-5-457-53471-1 |
| Качество: excellent |
| Язык: |
|
 |
|
Описание:
|
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO 2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
|
Пресс - релиз
string(4) "true"
int(290)
|
