TakeBooks.com TakeBooks.com TakeBooks.com
TakeBooks.com
TakeBooks.com
  Учебная и научная литература> Технические науки> Радиоэлектроника>

Электроника

TakeBooks.com
TakeBooks.com
 Каталог
:: Java книги
:: Авто
:: Астрология
:: Аудио книги
:: Биографии и Мемуары
:: В мире животных
:: Гуманитарные и общественные науки
:: Детские книги
:: Для взрослых
:: Для детей
:: Дом, дача
:: Журналы
:: Зарубежная литература
:: Знания и навыки
:: Издательские решения
:: Искусство
:: История
:: Компьютеры
:: Кулинария
:: Культура
:: Легкое чтение
:: Медицина и человек
:: Менеджмент
:: Наука и образование
:: Оружие
:: Программирование
:: Психология
:: Психология, мотивация
:: Публицистика и периодические издания
:: Разное
:: Религия
:: Родителям
:: Серьезное чтение
:: Спорт
:: Спорт, здоровье, красота
:: Справочники
:: Техника и конструкции
:: Учебная и научная литература
   :Гуманитарные и общественные науки
   :Естественные науки
   :Технические науки
     :Горное дело
     :Пищевая промышленность
     :Радиоэлектроника
       :Автоматика и телемеханика
       :Квантовая электроника
       :Кибернетика
       :Радиолокация
       :Радиотехника
       :Электрическая связь
       :Электроакустика
       :Электроника
     :Строительство
     :Технологии металлов
     :Транспорт
     :Химическая технология
     :Энергетика
:: Фен-Шуй
:: Философия
:: Хобби, досуг
:: Художественная лит-ра
:: Эзотерика
:: Экономика и финансы
:: Энциклопедии
:: Юриспруденция и право
:: Языки
 Новинки
Volkswagen Polo (MK6) since 2017, service e-manual
Volkswagen Polo (MK6) since 2017, service e-manual
 
 

Silicon Non-Volatile Memories

Silicon Non-Volatile Memories
Автор: Barbara de Salvo
Издательство: John Wiley & Sons Limited
Cтраниц: 1
Формат: PDF
Размер: 0
ISBN: 9780470610398
Качество: excellent
Язык: 
Описание:
This book provides a comprehensive overview of the different technological approaches currently being studied to fulfill future memory requirements. Two main research paths are identified and discussed. Different “evolutionary paths” based on new materials and new transistor structures are investigated to extend classical floating gate technology to the 32 nm node. “Disruptive paths” are also covered, addressing 22 nm and smaller IC generations. Finally, the main factors at the origin of these phenomena are identified and analyzed, providing pointers on future research activities and developments in this area.

NEAR Wallet
Просмотров: 37

Пресс - релиз

string(4) "true" int(290)

К настоящему времени нет отзывов!
Вход 
Если Вы забыли пароль, щелкните здесь





Вы новый клиент?
Зарегистрируйтесь
 
 Информация 
Свяжитесь с нами
Как скачать и чем читать
  Quiero dinero © 2007