Знания и навыки
>
Учебная и научная литература
>
Естественные науки
>
Механика
Каталог
:: Java книги
:: Авто
:: Астрология
:: Аудио книги
:: Биографии и Мемуары
:: В мире животных
:: Гуманитарные и общественные науки
:: Детские книги
:: Для взрослых
:: Для детей
:: Дом, дача
:: Журналы
:: Зарубежная литература
:: Знания и навыки
:Бизнес-книги
:Компьютерная литература
:Научно-популярная литература
:Словари, справочники
:Учебная и научная литература
:Безопасность жизнедеятельности
:Военное дело
:Гуманитарные и общественные науки
:Естественные науки
:Астрономия
:Естествознание
:Математика
:Механика
:Физика
:Экология
:Задачники
:Зарубежная образовательная литература
:Медицина / здравоохранение
:Монографии
:Научные труды
:Практикумы
:Прочая образовательная литература
:Сельское и лесное хозяйство
:Технические науки
:Учебники и пособия для вузов
:Учебники и пособия для ссузов
:Учебно-методические пособия (методички)
:: Издательские решения
:: Искусство
:: История
:: Компьютеры
:: Кулинария
:: Культура
:: Легкое чтение
:: Медицина и человек
:: Менеджмент
:: Наука и образование
:: Оружие
:: Программирование
:: Психология
:: Психология, мотивация
:: Публицистика и периодические издания
:: Разное
:: Религия
:: Родителям
:: Серьезное чтение
:: Спорт
:: Спорт, здоровье, красота
:: Справочники
:: Техника и конструкции
:: Учебная и научная литература
:: Фен-Шуй
:: Философия
:: Хобби, досуг
:: Художественная лит-ра
:: Эзотерика
:: Экономика и финансы
:: Энциклопедии
:: Юриспруденция и право
:: Языки
Новинки
Volkswagen Polo (MK6) since 2017, service e-manual
Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур
Автор:
Андрей Бычков
Издательство:
КноРус
Год:
2020
Cтраниц:
1
Формат:
PDF
Размер:
0
ISBN:
978-5-4365-6350-3
Качество:
excellent
Язык:
Описание:
В книге рассматриваются вопросы релаксации полупроводниковой пленки за счет энергии деформации. Учитывается одновременно изменение упругой энергии несоответствия, как за счет дислокационной перестройки, так и за счет механизма неоднородного распределения состава компонент пленки. Сформулированы системы уравнений описывающих процессы релаксации. Построены компьютерные модели пленки SiGe нанометровой толщины на Si подложке и SiGe островков нанометровых размеров на смачивающем слое, учитывающие влияние механодиффузии, наличие дислокаций несоответствия, туннельных трещин, проникающих и винтовых дислокаций. Выполнены расчеты построенных моделей с использованием метода конечных элементов, аппроксимирующих формул и итерационного алгоритма. Особое внимание уделено подробному обсуждению полученных результатов и соответствующим выводам. Представленные результаты помогают определить оптимальные режимы выращивания наноразмерных эпитаксиальных гетероструктур. Монография подготовлена в Южном федеральном университете. Для студентов, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области механики деформируемого твердого тела.
Скачать
Скачать легальную копию
Просмотров: 109
Пресс - релиз
string(4) "true" int(166)
К настоящему времени нет отзывов!
Вход
Если Вы забыли пароль, щелкните
здесь
Вы новый клиент?
Зарегистрируйтесь
Информация
Свяжитесь с нами
Как скачать и чем читать
Quiero dinero © 2007
